使用掃描電子顯微鏡（SEM）進行納米級觀察時，需要特別注意以下幾個關(guān)鍵因素，以確保高分辨率成像、準確分析，并減少可能的誤差或偽影。

1. 樣品制備

(1) 清潔度

樣品表面應(yīng)無污染物，如灰塵、油脂、濕氣等，以避免信號干擾。 

可使用等離子清洗、超聲清洗或溶劑清洗去除有機污染物。 

(2) 導(dǎo)電性

導(dǎo)電樣品（如金屬）通常不需要額外處理。 

非導(dǎo)電樣品（如聚合物、陶瓷、生物材料）需涂覆一層金、鉑、碳等導(dǎo)電材料，以減少電荷積累和漂移。 

(3) 機械固定

確保樣品牢固固定在樣品臺上，避免成像時發(fā)生移動或漂移。 

使用銀漆、導(dǎo)電膠、碳膠等固定材料，并盡量減少接觸面積以降低污染。 

2. 電子束參數(shù)優(yōu)化

(1) 加速電壓

高電壓（10-30 kV）：適用于高 Z 材料（如金屬），可獲得較高穿透力和良好的深度分辨率。 

低電壓（1-5 kV）：適用于低 Z 材料（如聚合物、生物樣品），可減少充電效應(yīng)，提高表面分辨率。 

(2) 探針電流

低束流（10 pA - 100 pA）：適用于納米級高分辨率成像，可減少電子束損傷和熱效應(yīng)。 

高束流（>1 nA）：適用于成分分析（EDS/EBSD），但可能增加漂移和損傷風險。 

(3) 束斑尺寸

小束斑（Small Spot Size）提高分辨率，但信噪比較低。 

適當調(diào)整探針電流和平衡束斑尺寸以優(yōu)化成像效果。 

3. 樣品漂移與充電效應(yīng)

(1) 充電效應(yīng)

非導(dǎo)電樣品易充電，導(dǎo)致亮度不均、偽影和漂移。 

可通過低電壓成像、低真空模式（VP-SEM）、涂導(dǎo)電層來減少充電。 

(2) 熱漂移

長時間電子束照射會導(dǎo)致樣品溫度升高，引起形變或漂移。 

解決方案：減少束流、使用低溫樣品臺、短時間掃描。 

(3) 機械漂移

電子束撞擊樣品時可能產(chǎn)生微小推力，導(dǎo)致位移。 

解決方案：優(yōu)化樣品固定方式，減少振動，使用漂移校正軟件。 

4. 掃描與信號優(yōu)化

(1) 掃描模式

慢掃描（Slow Scan）：提高信噪比，適合高分辨率成像，但容易受漂移影響。 

幀平均（Frame Integration）：疊加多幀圖像，提高信噪比并減少漂移偽影。 

行平均（Line Integration）：適用于極小尺度樣品，減少掃描噪聲。 

(2) 檢測器選擇

二次電子（SE）檢測器：適用于表面形貌觀察，分辨率高。 

背散射電子（BSE）檢測器：適用于材料成分對比，Z 依賴性強。 

低能量二次電子檢測（InLens SE）：適用于超高分辨率成像，適合納米級觀察。 

5. 其他注意事項

(1) 環(huán)境控制

保持實驗室溫度穩(wěn)定，避免氣流或溫度變化影響成像穩(wěn)定性。 

減少外部震動和電磁干擾，確保 SEM 處于穩(wěn)定工作環(huán)境。 

(2) 數(shù)據(jù)后處理

圖像可使用軟件濾波、對比度增強、去噪等優(yōu)化處理，但避免過度處理導(dǎo)致信息丟失。 

以上就是澤攸科技小編分享的使用掃描電鏡進行納米級觀察時需要注意哪些因素的介紹。更多掃描電鏡產(chǎn)品及價格請咨詢